導讀：量子點發光二極管(QLED)具有出色的發光效率，色純度，可靠性，並且可通過具有成本效益的製造方式實現規模化生產，因此是大面板顯示器的理想選擇。目前，紅光，綠光和藍光QD-LED的效率分別達到了20.5%、21.0%和19.8%，但是這之中的量子點大多含有有毒的鎘成分。而基於磷化銦(InP)的材料和器件的性能仍然遠遠落後於含鎘的同類材料和器件。因此，改善器件的操作穩定性並避免使用有毒的鎘成分，成為了QLED商用的關鍵問題。
新型高效穩定和環保的量子點LED
量子點發光二極管(QLED)具有出色的發光效率，色純度，可靠性，並且可通過具有成本效益的製造方式實現規模化生產，因此是大面板顯示器的理想選擇。目前，紅光，綠光和藍光QD-LED的效率分別達到了20.5%、21.0%和19.8%，但是這之中的量子點大多含有有毒的鎘成分。而基於磷化銦(InP)的材料和器件的性能仍然遠遠落後於含鎘的同類材料和器件。因此，改善器件的操作穩定性並避免使用有毒的鎘成分，成為了QLED商用的關鍵問題。
1. 生長過程
研究人員在初始ZnSe殼的生長過程中添加氫氟酸，以蝕刻掉氧化InP核表面，然後在340℃下實現高溫ZnSe的生長。工程化的殼層厚度可抑制能量轉移和俄歇複合，以保持高發光效率，並且初始表面配體被較短的配體取代，以實現更好的電荷注入。
2. 優異發光性能
經過優化的InP/ZnSe/ZnS QD-LED的最大外部量子效率為21.4%，最大亮度為100,000cd m-2，在100 cdm-2的條件下使用壽命長達一百萬小時，該性能可與最新的含鎘QD-LED媲美。
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